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Emmi

Emmi[冷光电子器件光学显微镜镜]

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检测到闪光斑之状况:

会造成 闪光斑的缺陷 - 走电结(Junction Leakage); 触碰毛刺(Contact spiking); (热发电工厂效应)Hot electrons;闩锁效应( Latch-Up);气体氧化层走电( Gate oxide defects / Leakage(F-N current));太太阳能发电量充电电池晶须(

Poly-silicon filaments); 体硅危害(Substrate damage); (物理学类危害)Mechanical damage等。

原先便会出现的闪光斑 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse;biased diodes(break down) 等。

Emmi[冷光电子器件光学显微镜镜]

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检测不上闪光斑之状况:

不非常容易出現闪光斑的普遍故障 - 欧母触碰;金属原材料互连短路故障;表面反型层;硅导电荷通道等。

闪光斑被遮盖之状况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal,这种状况可以采用backside方式,可是仅有检测近红内外线光谱仪仪股票波段的发光,且务必减薄及打磨抛光抛光处理。

OBIRCH(光线造成 电阻器变化)

光造成 电阻器变化(OBIRCH)方式能迅速精准的进行IC正同器件的短路故障、布线和埋孔互初中的间隙、金属原材料中的硅沉积等缺陷。其原严是运用激光器在稳定工作电压下去的元器件表面进行扫描仪,激光器有部分动能转改为电速力源,假如金属原材料互连线存有缺陷,缺陷处温度将没法迅速根据金属原材料线传输散掉,这将造成 缺陷处温度总计上升,并更进一步一歩造成 金属原材料线电阻器以及电总流量变化,根据变化地区与激光器扫描仪部位的相匹配,精准定位缺精准定位点置。OBIRCH方式具备高分数辨工作里能力,其检验高精相对性密度做到n*。

PEM(Photo Emission Microscope)

光线造成 电阻器变化(OBIRCH)作用与光消息推送(EMMI)普遍集明成化在一个检验系统软件,通称PEM(Photo Emission Microscope),两者相互之间填补,可以十分好的处理然绝大大部分大部分数无效方式。

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EMMI Studio

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EMMI (Enhanced Man Machine Interface) 提高版人机对决互动技术性页面,采用EMMI Stu dio专用型工具撰写页面。

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